化學氣相沉積原理、PVD CVD、pecvd優點在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說
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化學氣相沉積原理在化學氣相沉積- 維基百科，自由的百科全書的討論與評價
化學氣相沉積 （英語：chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。
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化學氣相 沈積(CVD). 金屬有機化學氣相沈積(Metal-organic CVD, MOCVD) ... 優點: (1) 低氣壓下氣態分子的平均自由徑增. 大，可改善沉積薄膜的不均勻性。
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化學氣相沉積原理在化學氣相沉積優點 - Trearu1的討論與評價
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薄膜製程技術：濺鍍(sputtering)、化學氣相沉積. (CVD)、電漿輔助化學 ... 表面飽和化學性吸附. 及自我限制的反應機制，使得原子層沉積(ALD). 擁有下列優缺點：. 優點.
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中文名：電漿增強化學氣相沉積法 · 外文名：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition · 簡稱：PECVD · 優點：基本溫度低；沉積速率快.
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化學氣相沉積原理在化學氣相沉積的討論與評價
CVD 化學氣相沉積（CVD）為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露於一種或多種揮發性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用於在真空環境 ...