雪崩光電二極體原理、apd原理、apd二極體在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說

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雪崩光電二極體 (APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料中一般為100-200 ...

雪崩光電二極體具有和常規光電二極體相似的結構，但是需要高得多的逆向偏壓電壓。這將允許光照產生的載子通過突崩潰大量增加，在光電二極體內部產生內部增益，從而 ...

雪崩光電二極管工作原理 · 雪崩擊穿發生時二極管受到高反向電壓. · 反向偏置電壓增加了耗盡層兩端的電場。 · 入射光進入p+ 區，並在高電阻p 區進一步被吸收。這裡產生電子-空 ...

雪崩二極體是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。雪崩二極體是一種負阻器件，特點是輸出功率大，但噪聲也很大。

半導體雪崩光電二極體(semiconductor avalanche photodiode )是具有內部光電流增益的半導體光電子器件，又稱固態光電倍增管。它套用光生載流子在二極體耗盡層內的碰撞 ...

雪崩光電二極體是由日本工程師「Jun-ichi Nishizawa」於1952 年設計的。雪崩光電二極體是一種非常靈敏的半導體探測器，它利用光電效應將光轉化為電。

雪崩光電二極體 (APD)結構及原理,.當耗盡區中的場強達到足夠大（~3*1O^5V/cm）時，光生載流子將被加速到很高的速度，在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離， ...

而如果你想在『蓋格模式』(Geiger mode)中更進一步，則可稱為『單光子雪崩二體』(Single Photon Avalanche Diode)模式或SPAD。」正如Magnifico所解釋的， ...

雪崩擊穿主要發生在光電二極體承受最大反向電壓時，該電壓增強了耗盡層之外的電場。當入射光穿透p+ 區域時，它會在電阻極大的p 區域內被吸收，然後生成電子-空穴對。

雪崩光電二極體 (APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料 ...