雪崩光電二極體結構、apd原理、apd二極體在PTT/mobile01評價與討論，在ptt社群跟網路上大家這樣說
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雪崩光電二極體結構在雪崩光電二極體- 維基百科，自由的百科全書的討論與評價
雪崩光電二極體 (APD)(又稱累崩光電二極體或崩潰光二極體)是一種半導體光檢測器，其原理類似於光電倍增管。在加上一個較高的反向偏置電壓後（在矽材料中一般為100-200 ...
雪崩光電二極體結構在揭秘雪崩光電二極體「結構、原理、特性 - 每日頭條的討論與評價
PIN 光電二極體和雪崩光電二極體的結構相似，包括兩個重摻雜區和兩個輕摻雜區，重摻雜區域是P+ 和N+，而輕摻雜區域是I和P。 ... 在本徵區中，與PIN 光電二極 ...
雪崩光電二極體結構在半導體雪崩光電二極體 - 華人百科的討論與評價
製備雪崩光電二極體的材料有矽、鍺、砷化鎵和磷化銦等Ⅲ-Ⅴ族化合物及其三元、四元固熔體。根據形成耗盡層方法的不同,雪崩光電二極體有PN結型(同質的或異質結構的PN結。
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雪崩光電二極體結構在什麼是雪崩光電二極管？ | 它的5+ 重要用途和特性的討論與評價
雪崩光電 二極管結構 ... 普通雪崩光電二極管的結構與PIN光電二極管類似。 它由兩個重摻雜（p+ 和n+ 區）和兩個輕摻雜（I 或本徵區和P 區）區域組成。 本徵區中耗盡層的寬度在 ...
雪崩光電二極體結構在三分鐘看懂雪崩光電二極體 - 頭條匯的討論與評價
在光纖通信系統中，使用雪崩光電二極體等單個組件將光轉換為電信號。在雪崩過程中，電荷載流子是通過碰撞產生的。光粒子狀光子會產生許多電子，進而產生電流。
雪崩光電二極體結構在雪崩光電二極體:Diode) 分類 - 中文百科知識的討論與評價
Diode) 分類:概述英文縮寫: APD (Avalanche Photo Diode)分類: 電信設備解釋: 雷射通信中使用的光敏元件。在以矽或鍺為材料製成的光電二極體的P-N結上加上反向偏壓後， ...
雪崩光電二極體結構在雪崩光電二極體(APD)結構及原理 - 研發互助社區的討論與評價
雪崩光電二極體 (APD)結構及原理,.當耗盡區中的場強達到足夠大（~3*1O^5V/cm）時，光生載流子將被加速到很高的速度，在運動過程中與晶格中的原子碰撞時會使之電離， ...
雪崩光電二極體結構在HgCdTe雪崩光電二極體的研究進展 - 人人焦點的討論與評價
雪崩光電二極體 （APD）是一種具有較高頻率響應特性和較高內增益的器件。器件工作在高的反偏壓下，當吸收層吸收入射光產生光生載流子，器件內部光生載流子在強電場的作用下 ...
雪崩光電二極體結構在InGaAs/InP 雪崩光電二極體之側護環與懸護環電性分析的討論與評價
本論文討論平面型磷化銦/砷化銦鎵SAGCM(分離式吸收、漸變、電荷、倍增層)結構雪崩光電二極體的電性量測，包含元件的電流電壓分析、電容電壓分析、頻率響應和量子效率。
雪崩光電二極體結構在雪崩光電二極管_百度百科的討論與評價
雪崩光電 二極管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或鍺為材料製成的光電二極管的P-N結上加上反向偏壓後，射入的光被P-N結吸收後會形成光電流。