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PECVD 技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產生輝光放電，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度， ...

PECVD 的沈積原理與一般的CVD之間並沒有太大的差異。電漿中的反. 應物是化學活性較高的離子或自由基，而且基板表面受到離子的撞. 擊也會使得化學活性提高。

電漿增強式化學氣相沈積(PECVD). 在CVD的反應中，氣體分子的分解須要足夠的激發能量。在電漿增強化學氣相沈積法（plasma-enhanced CVD）中，反應氣體在電磁場中獲得 ...

2-1 PECVD 原理. 化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)為氣態的反應物透過各. 種的能量源來克服化學反應之反應活化能障而進行反應，並於基板上沉積.

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 電漿增強化學氣相沉積法。 PECVD：是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成電漿， ...

射頻功率. 晶圓背端冷卻. 用氦氣. 磁場線圈. 晶圓. 10. Plasma-enhanced chemical vapor deposition. (PECVD) 電漿增強化學氣相沈積法. • PECVD 使用SiH.

首先，對電漿物理、PECVD 設備及製程原理加以闡述。第二部分簡 ... enhanced chemical vapor deposition (PECVD) used in the solar industry.

PECVD 工作原理. 腔體內有上下兩塊電極，工件. 置於下面的電極基板之上，電. 極基板加熱至100℃~400℃之. 間。在二電極板間外加一個高頻的.

化學氣相沉積（英語：chemical vapor deposition，簡稱CVD）是一種用來產生純度高、效能好的固態材料的化學技術。半導體產業使用此技術來成長薄膜。

PECVD ：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。